类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -12.0 V |
额定电流 | -2.60 A |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 500 mW |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.03 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 500 mW |
输入电容 | 454 pF |
栅电荷 | 12.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 12 V |
栅源击穿电压 | ±8.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.60 A |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 1138pF @6V(Vds) |
额定功率(Max) | 460 mW |
下降时间 | 35 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 0.5 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 0.94 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.003Ω @-2.6A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • SuperSOT TM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint 描述与应用| •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS(ON) •的SuperSOT TM-3提供低RDS(ON)和30%上 在相同的空间比SOT23封装的功率处理能力
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN306P, 2.6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件