类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.07 Ω |
功耗 | 0.5 W |
阈值电压 | 900 mV |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
上升时间 | 8.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 310pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 460 mW |
下降时间 | 3 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 0.94 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN335N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN335N, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
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