| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SSOT-3 |
| 漏源极电阻 | 70.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.70 A |
| 上升时间 | 8.5 ns |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.12 mm |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN335N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
ON Semiconductor（安森美）
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