| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 2.20 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.054 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 700 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.20 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 300pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.065Ω/Ohm @2.2A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| 2.2 A, 30 V, RDS(ON = 0.065 W @ VGS = 4.5 V RDS(ON)= 0.082 W @ VGS= 2.5 V. Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT TM3 design for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. 描述与应用| 行业标准外形SOT-23表面贴装 包装使用专有SuperSOT 的TM3设计为 卓越的热性能和电气能 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN337N 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 30 V, 65 mohm, 4.5 V, 700 mV
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
TI（德州仪器）
包含所需的ADS1148 / ADS1248的所有支持电路 Contains all support circuitry needed for the ADS1148/ADS1248
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