| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -2.00 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.06 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 输入电容 | 779 pF |
| 栅电荷 | 7.20 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | -20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 779pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.052Ω @-2A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Low gate charge (8nC typical). High performance trench technology for extremely low RDS(ON) . High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. 描述与应用| 低栅极电荷（典型8NC）。 高性能沟道技术极 低RDS（ON）。 高功率版本的行业标准SOT-23 包。相同的引脚的SOT-23与30％ 更高的功率处理能力
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单P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN340P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV
ON Semiconductor（安森美）
FDN340P 系列 20 V 70 mOhm 单 P 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet SSOT-3
Fairchild（飞兆/仙童）
单P沟道逻辑电平的PowerTrench ？ MOSFET Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench?MOSFET
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