FDN342P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	SOT-23-3
描述:	PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDN342P 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	-20.0 V
额定电流	-2.00 A
封装	SOT-23-3
漏源极电阻	0.062 Ω
极性	P-Channel
功耗	500 mW
阈值电压	1.05 V
输入电容	635 pF
栅电荷	6.30 nC
漏源极电压(Vds)	20 V
栅源击穿电压	±12.0 V
连续漏极电流(Ids)	2.00 A
上升时间	8 ns
输入电容值(Ciss)	635pF @10V(Vds)
额定功率(Max)	460 mW
下降时间	19 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	500mW (Ta)

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FDN342P 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	2.92 mm
宽度	1.4 mm
高度	0.94 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃

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FDN342P 符合标准

FDN342P 海关信息

FDN342P 概述

FDN342P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.13 MByte

FDN342P 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.86 MByte

FDN342P 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDN342 数据手册

FDN342P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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