| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -1.50 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 200 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 560 mW |
| 输入电容 | 182 pF |
| 栅电荷 | 4.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.50 A |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 182pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.11Ω @-1.5A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--2V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| High power version of industry SOT-23 package: identical pin out to SOT-23; 30% higher power handling capability. High density cell design for extremely low RDS(ON) .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. 描述与应用| 行业SOT-23封装的高功率版相同 引脚SOT-23;30％更高的功率处理能力。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力
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Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN358P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN358P, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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