| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.026 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 650pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359AN... 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 2.7A, SSOT
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359BN, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359AN, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359BN_F095 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359BN"F095 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.026Ω, 2.7A, SUPERSOT-3
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