类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.08 Ω |
功耗 | 0.5 W |
阈值电压 | 1.9 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
上升时间 | 13 ns |
输入电容值(Ciss) | 298pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 460 mW |
下降时间 | 6 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 0.94 mm |
PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor
●PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
●最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。
●PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
单P沟道MOSFET PowerTrenchTM Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN360P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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