| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -2.00 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 500 mW |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.08 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 20 V |
| 输入电容 | 298 pF |
| 栅电荷 | 6.20 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | -30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 298pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.5 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.060Ω @-2A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--3V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| • Low gate charge (5nC typical). • Fast switching speed. •High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • High power and current handling capability. 描述与应用| •低栅极电荷（典型5NC）。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •高功率和电流处理能力
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单P沟道MOSFET PowerTrenchTM Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN360P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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