| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 1.80 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 72.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500mW (Ta) |
| 输入电容 | 220 pF |
| 栅电荷 | 2.10 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.80 A |
| 上升时间 | 11.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 220pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.8A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.1Ω/Ohm @1.1A,10v 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| N-Channel, Logic Level, PowerTrench General Description This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor"s PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. • Low gate charge ( 2.1nC typical ). • Fast switching speed. • High performance trench technology for extremely low RDS(on) .• High power version of industry standard SOT-23package. Identical pin out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. 描述与应用| N沟道逻辑电平，的PowerTrench 概述 这N沟道逻辑电平MOSFET的生产采用 飞兆半导体的PowerTrench进程， 特别是针对已最大限度地减少通态电阻 但为保持低栅极电荷出色的开关 性能。 •低栅极电荷（2.1nC典型值）。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极 低RDS（on） •高功率版本的行业标准SOT-23package的。 相同的引脚SOT-23的30％更高的功率处理能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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N沟道逻辑电平的PowerTrenchビヌ N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN361BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.1 V
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道逻辑电平的PowerTrenchビヌ N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN361BN, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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