| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.092 Ω |
| 功耗 | 0.5 W |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 输入电容 | 145 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 145pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 460 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.4 mm |
| 宽度 | 2.92 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道逻辑电平的PowerTrenchビヌ N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN361BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.1 V
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道逻辑电平的PowerTrenchビヌ N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN361BN, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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