类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -1.25 A |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 170 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 500 mW |
阈值电压 | 20 V |
输入电容 | 430 pF |
栅电荷 | 8.60 nC |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | -200 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.20 A |
上升时间 | 8 ns |
输入电容值(Ciss) | 430pF @30V(Vds) |
额定功率(Max) | 460 mW |
下降时间 | 4 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 0.94 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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Fairchild(飞兆/仙童)
60V P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN5618P, 1.25 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN5618P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.25 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 20 V
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