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FDN8601
来自 AiPCBA

FDN8601 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN8601, 2.7 A, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
PDF文件:FDN8601 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
FDN8601 数据手册 (6 页)
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FDN8601 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0854 Ω
功耗1.5 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间1.3 ns
输入电容值(Ciss)156pF @50V(Vds)
额定功率(Max)600 mW
下降时间3.4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.5 W
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FDN8601 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.4 mm
宽度2.92 mm
高度0.94 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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FDN8601 数据手册

FDN8601 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.15 MByte
FDN8601 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.25 MByte
FDN8601 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 1.78 MByte
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