| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 375 W |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 上升时间 | 191 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 11400pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 375 W |
| 下降时间 | 121 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 375 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.1 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 15.38 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.8 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP032N08 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3.5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08, 235 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
FDP032N08: N 沟道，PowerTrench MOSFET，75V，235A，3.2mΩ
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08B_F102, 211 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
