FDP032N08B_F102 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDP032N08B_F102 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
通道数	1 Channel
极性	N-CH
功耗	263 W
阈值电压	4.5 V
漏源极电压(Vds)	80 V
连续漏极电流(Ids)	211A
上升时间	44 ns
输入电容值(Ciss)	10965pF @40V(Vds)
额定功率(Max)	263 W
下降时间	31 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	263W (Tc)

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FDP032N08B_F102 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
材质	Silicon
长度	10.36 mm
宽度	4.672 mm
高度	15.215 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDP032N08B_F102 符合标准

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