| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0043 Ω |
| 功耗 | 245 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 上升时间 | 160 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3900pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 245 W |
| 下降时间 | 29 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 245W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
FDP050AN06A0 是一款N沟道MOSFET, 采用Fairchild Semiconductor PowerTrench®工艺制造。适用于ATX/服务器/电信PSU同步整流, 电池保护电路, 不间断电源等。
● 低米勒电荷
● 低Qrr二极管
● UIS性能 (单脉冲和重复性脉冲)
ON Semiconductor（安森美）
13 页 / 0.91 MByte
ON Semiconductor（安森美）
15 页 / 1.06 MByte
ON Semiconductor（安森美）
29 页 / 1.96 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP050AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0043 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
FDP050AN06A0 系列 60 V 5 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-220AB
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