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FDP100N10
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FDP100N10 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP100N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:FDP100N10 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
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FDP100N10 数据手册 (8 页)
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FDP100N10 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0082 Ω
极性N-Channel
功耗208 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)75A
上升时间265 ns
输入电容值(Ciss)7300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)208 W
下降时间115 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)208W (Tc)
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FDP100N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.67 mm
宽度4.83 mm
高度9.4 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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FDP100N10 数据手册

FDP100N10 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.59 MByte
FDP100N10 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.7 MByte
FDP100N10 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte

FDP100 数据手册

FDP100N10 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP100N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2.5 V
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N沟道MOSFET PowerTrench® 100V ， 75A ， 10mÎ © N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 75A, 10mΩ
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