| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0125 Ω |
| 功耗 | 91 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1080pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 91000 mW |
通孔 N 通道 100 V 50A（Tc） 91W（Tc） TO-220-3
ON Semiconductor（安森美）
0.87 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP150N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor（安森美）
FDP150N10: N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，57A，15mΩ
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET PowerTrench® 100V ， 50A ， 15mÎ © N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 50A, 15mΩ
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP150N10A_F102, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
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