| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.23 Ω |
| 功耗 | 250 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 上升时间 | 375 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2400pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 250 W |
| 下降时间 | 105 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.1 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
●UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP20N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 5 V
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FDP20N50 系列 500 V 0.23 Ohm 法兰安装 N 沟道 Mosfet - TO-220-3
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N沟道的PowerTrench ？ MOSFET 60V ， 45A ，20M ？ N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP20N50F 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
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