| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.048 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 320 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 51.0 A |
| 上升时间 | 465 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3410pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 320 W |
| 下降时间 | 130 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 320000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP51N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 250 V, 0.048 ohm, 10 V, 5 V
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