类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 85W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
上升时间 | 22 ns |
输入电容值(Ciss) | 640pF @25V(Vds) |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 85W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Rail |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 500 V 5A(Tc) 85W(Tc) TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP52N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 41 mohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP5800 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
ON Semiconductor(安森美)
FDP52N20 系列 200 V 49 mOhm 法兰安装 N 沟道 Mosfet - TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET PowerTrenchTM 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP55N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 2 V
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