| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 9 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 65 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 输入电容 | 1.76 nF |
| 栅电荷 | 17.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1760pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
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N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP7030BL 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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30V N通道PowerTrench㈢SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench㈢SyncFET⑩
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