类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 68W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
输入电容值(Ciss) | 2440pF @15V(Vds) |
耗散功率(Max) | 68W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP7030BL 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N通道PowerTrench㈢SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench㈢SyncFET⑩
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