| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 137 W |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 上升时间 | 212 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3437pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 137 W |
| 下降时间 | 147 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 137000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
●UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 1.07 MByte
ON Semiconductor（安森美）
18 页 / 1.07 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
75V N沟道MOSFET 75V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP75N08A 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP75N08A, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
