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FDP7N60NZ
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FDP7N60NZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP7N60NZ  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:FDP7N60NZ 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页9 页
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FDP7N60NZ 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻1.05 Ω
极性N-Channel
功耗147 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)6.5A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)730pF @25V(Vds)
额定功率(Max)147 W
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)147W (Tc)
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FDP7N60NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.67 mm
宽度4.83 mm
高度16.51 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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FDP7N60NZ 数据手册

FDP7N60NZ 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.27 MByte
FDP7N60NZ 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.34 MByte
FDP7N60NZ 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte

FDP7N60 数据手册

FDP7N60NZ 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP7N60NZ  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 3 V
FDP7N60NZ 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP7N60NZ, 6.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
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