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FDP8030L
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FDP8030L 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP8030L  场效应管, MOSFET, N沟道, 187W, TO-220-3
PDF文件:FDP8030L 数据手册 (5 页)
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焊盘图
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FDP8030L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流80.0 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0035 Ω
极性N-Channel
功耗187 W
阈值电压1.5 V
输入电容10.5 nF
栅电荷120 nC
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)80.0 A
上升时间185 ns
输入电容值(Ciss)10500pF @15V(Vds)
额定功率(Max)187 W
下降时间200 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)187W (Tc)
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FDP8030L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.67 mm
宽度4.7 mm
高度16.3 mm
工作温度-65℃ ~ 175℃ (TJ)
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FDP8030L 数据手册

FDP8030L 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
5 页 / 0.16 MByte
FDP8030L 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.28 MByte
FDP8030L 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte

FDP8030 数据手册

FDP8030L 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP8030L  场效应管, MOSFET, N沟道, 187W, TO-220-3
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