| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 37 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 66 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 37 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 输入电容 | 2.13 nF |
| 栅电荷 | 49.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 39.0 A |
| 上升时间 | 160 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2130pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 37 W |
| 下降时间 | 150 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 37W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.36 mm |
| 宽度 | 4.9 mm |
| 高度 | 16.07 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF39N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 200 V, 66 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF39N20, 39 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF390N15A, 15 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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