类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 900 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 31.3 W |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.00 A |
上升时间 | 55 ns |
输入电容值(Ciss) | 940pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 31.3 W |
下降时间 | 35 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 39W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 16.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET , FRFET 500V , 6A , 1.15OHM N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 6A, 1.15OHM
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF7N60NZ, 6.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF770N15A, 10 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
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