| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 3.90 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.059 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 2.9 V |
| 输入电容 | 2.54 nF |
| 栅电荷 | 46.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.90 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2535pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
汽车 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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