| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SO-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 20 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.8A |
| 上升时间 | 13.5 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道逻辑电平的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET
National Semiconductor（美国国家半导体）
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4435BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -2.1 V
ON Semiconductor（安森美）
汽车 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 17 mohm, -10 V, -1.7 V
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4435BZ_F085, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
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