| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.022 Ω |
| 功耗 | 1.6 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 输入电容 | 1360 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1360pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 下降时间 | 38 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1600 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
●最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
●PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
双路30V P沟道PowerTrench MOSFET Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4935BZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4935A 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -7 A, -30 V, 23 mohm, -10 V, -1.6 V
ON Semiconductor（安森美）
FDS4935BZ 系列 30 V 22 mOhm 双 30 V P 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8
ON Semiconductor（安森美）
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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