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FDS6612A
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FDS6612A 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:SOIC-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
PDF文件:FDS6612A 数据手册 (8 页)
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FDS6612A 数据手册 (8 页)
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FDS6612A 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.019 Ω
功耗2.5 W
阈值电压1.9 V
漏源极电压(Vds)30 V
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)560pF @15V(Vds)
额定功率(Max)1 W
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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FDS6612A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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FDS6612A 数据手册

FDS6612A 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.52 MByte
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