类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电压(DC) | -30.0 V |
额定电流 | -11.0 A |
封装 | SOIC-8 |
漏源极电阻 | 13.0 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.5W (Ta) |
输入电容 | 2.33 nF |
栅电荷 | 24.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
栅源击穿电压 | ±25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
上升时间 | 12.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 2330pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 1 W |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6675BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS6675BZ, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
30V P沟道PowerTrench MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
单P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道MOSFET PowerTrench㈢ P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
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