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FDS6679
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FDS6679 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:SOIC-8
描述:FDS6679 系列 30 V 9 mOhm 表面贴装 P 沟道 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
PDF文件:FDS6679 数据手册 (4 页)
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焊盘图
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FDS6679 数据手册 (4 页)
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FDS6679 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0073 Ω
功耗2.5 W
阈值电压1.6 V
漏源极电压(Vds)30 V
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)3939pF @15V(Vds)
额定功率(Max)1 W
下降时间65 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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FDS6679 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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FDS6679 数据手册

FDS6679 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.09 MByte
FDS6679 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.53 MByte
FDS6679 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.58 MByte
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