| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 12.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 输入电容 | 1.21 nF |
| 栅电荷 | 12.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 5.00 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1205pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 11A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 17mΩ@ VGS = 4.5V, ID =10A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1~3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.5W Description & Applications| Single N-Channel, Logic Level, Power Trench MOSFET General Description This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. Features • Fast switching speed • Low gate charge • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • High power and current handling capability 描述与应用| 单N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET 概述 这N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合于低电压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关是必需的。 特点 •开关速度快 •低栅极电荷 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •高功率和电流处理能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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单N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
National Semiconductor（美国国家半导体）
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6690A, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor（安森美）
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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