| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.01 Ω |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 910pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor
●设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能
●高性能通道技术，RDS（接通）极低
●SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管
●应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
单N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
National Semiconductor（美国国家半导体）
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6690A, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor（安森美）
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
Fairchild（飞兆/仙童）
30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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