类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
漏源极电阻 | 12.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.5 W |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | -100 V |
栅源击穿电压 | ±16.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
上升时间 | 5 ns |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 16V 最大漏极电流Id Drain Current| 12A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 14.5mΩ@ VGS = 4.5V, ID =11A 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1~3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.5W Description & Applications| 30V N-Channel Power Trench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed. Applications • DC/DC converter Features • Low gate charge • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • High power and current handling capability 描述与应用| 30V N沟道功率沟槽MOSFET 概述 此N沟道MOSFET已专门设计,以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。它已被优化低栅极电荷,低RDS(ON)和快速开关速度。 应用 •DC/ DC转换器 特点 •低栅极电荷 •高性能沟道技术极低的RDS(ON) •高功率和电流处理能力
Fairchild(飞兆/仙童)
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