| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 21.0 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 3.6 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 mW |
| 阈值电压 | 1.4 V |
| 输入电容 | 3.61 nF |
| 栅电荷 | 65.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 21.0 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3610pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 38 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 1.13 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 1.17 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6699S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 1.4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6699S, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
