| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 7.50 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.013 Ω |
| 极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 800 mV |
| 输入电容 | 2.13 nF |
| 栅电荷 | 23.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.50 A |
| 上升时间 | 26 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2130pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 下降时间 | 23 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6890A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor（安森美）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV
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