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FDS6892A 技术参数、封装参数

FDS6892A 外形尺寸、物理参数、其它

FDS6892A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
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FDS6892 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6892A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 900 mV
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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