| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.032 Ω |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 460pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.58 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6930B. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V
ON Semiconductor（安森美）
FDS6930B 系列 30 V 38 mOhm 双 N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6930A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V
ON Semiconductor（安森美）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
双N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench® Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
