| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 5.50 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.031 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 输入电容 | 412 pF |
| 栅电荷 | 3.80 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.50 A |
| 上升时间 | 6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 412pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 下降时间 | 2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6930B. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V
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FDS6930B 系列 30 V 38 mOhm 双 N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
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双N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench® Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET
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