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FDS89161LZ 技术参数、封装参数

FDS89161LZ 外形尺寸、物理参数、其它

FDS89161LZ 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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FDS89161 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS89161  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.7 A, 100 V, 0.086 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
FDS89161: 双 N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench MOSFET,100 V,2.7A,105mΩ
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS89161LZ, 2.7 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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