FDS89161LZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	SOIC-8
描述:	PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDS89161LZ 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	SOIC-8
极性	N-CH
功耗	1.6 W
漏源极电压(Vds)	100 V
连续漏极电流(Ids)	2.7A
上升时间	1.2 ns
输入电容值(Ciss)	302pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	1.6 W
下降时间	1.6 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	31 W

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FDS89161LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	4.9 mm
宽度	3.9 mm
高度	1.575 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDS89161LZ 符合标准

FDS89161LZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.24 MByte

FDS89161LZ 产品设计参考手册

Fairchild（飞兆/仙童）

58 页 / 1.17 MByte

FDS89161LZ 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.34 MByte

FDS89161 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS89161 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.7 A, 100 V, 0.086 ohm, 10 V, 3 V

FDS89161 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDS89161: 双 N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench MOSFET，100 V，2.7A，105mΩ

FDS89161LZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si N沟道 MOSFET FDS89161LZ, 2.7 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装

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PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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