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FDS8926A
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FDS8926A 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF文件:FDS8926A 数据手册 (5 页)
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FDS8926A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流5.50 A
封装SOIC-8
漏源极电阻30 mΩ
极性Dual N-Channel
功耗2 W
阈值电压670 mV
输入电容900 pF
栅电荷19.8 nC
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)5.50 A
上升时间19.0 ns
输入电容值(Ciss)900pF @10V(Vds)
额定功率(Max)900 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)900 mW
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FDS8926A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDS8926A 数据手册

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