Datasheet 搜索 > MOS管 > National Semiconductor（美国国家半导体） > FDS8926A Datasheet 文档
FDS8926A
来自 AiPCBA

FDS8926A 数据手册 - National Semiconductor（美国国家半导体）

制造商:National Semiconductor（美国国家半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC
PDF文件:FDS8926A 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDS8926A 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDS8926A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流5.50 A
封装SOIC
漏源极电阻30.0 mΩ
极性Dual N-Channel
功耗2.00 W
输入电容900 pF
栅电荷19.8 nC
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)5.50 A
上升时间19.0 ns
查看数据手册 >

FDS8926A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期End of Life
查看数据手册 >

FDS8926A 数据手册

FDS8926A 数据手册
National Semiconductor（美国国家半导体）
5 页 / 0.06 MByte

FDS8926 数据手册

FDS8926A 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8926A 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
FDS8926A 数据手册
National Semiconductor（美国国家半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet