| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电流 | 7.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 1.6 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.019 Ω |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 输入电容 | 528 pF |
| 栅电荷 | 9.60 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | ±30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.00 A |
| 上升时间 | 13.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 575pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V/-30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V/20V 最大漏极电流IdDrain Current| 7A/-5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 40mΩ@ VGS =4.5V, ID =6A/80mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-4A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1~3V/-1~-3V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| Dual N & P-Channel Power Trench MOSFET General Description These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. Features · Fast switching speed · Low gate charge · High performance trench technology for extremely low RDS(ON) · High power and current handling capability 描述与应用| 双N＆P沟道功率沟槽MOSFET 概述 这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管都采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。这些器件非常适合于低电压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关是必需的。 特点 ·快速开关速度 ·低栅极电荷 ·高性能沟槽技术非常低的RDS（ON） ·高功率和电流处理能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
双N和P沟道PowerTrench MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958B 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.4 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A_F085 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958B, 4.5 A，6.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958A_F085, 5 A，7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
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