| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.019 Ω |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 输入电容值(Ciss) | 575pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
FDS8958A 是一款30V双N沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。Fairchild最新的中压功率MOSFET经过了优化, 结合了低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采用先进的技术, 这款设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压 - 可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
● 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
● 高功率, 高电流处理能力
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.77 MByte
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.58 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
双N和P沟道PowerTrench MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958B 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.4 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A_F085 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958B, 4.5 A，6.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958A_F085, 5 A，7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
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