类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.019 Ω |
功耗 | 2 W |
阈值电压 | 1.9 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
输入电容值(Ciss) | 575pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 900 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.9 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.575 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor
●PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
●最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
●PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.77 MByte
ON Semiconductor(安森美)
66 页 / 0.58 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
双N和P沟道PowerTrench MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958B 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.4 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A_F085 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958B, 4.5 A,6.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958A_F085, 5 A,7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件